abbr. SJ GMU
ISSN 2657-5841 (printed)
ISSN 2657-6988 (online)
DOI: 10.26408
Wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora SiC JFET
Measurements results of thermal parameters of SIC JFET
Abstract:
In the paper results of measurements of the thermal parameters of silicon carbide JFET, are presented. Measurements were performed by computer-aided measurement system, based on literature pulsed-electrical method. The influences of the ambient temperature and the dissipated power on the thermal parameters of the transistor were examined.
Streszczenie:
W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów rezystancji termicznej oraz przejściowej impedancji termicznej tranzystora JFET mocy, wykonanego z węglika krzemu o symbolu SJEP120R063. Pomiary przeprowadzono z wykorzystaniem opracowanego w Katedrze Elektroniki Morskiej komputerowego systemu pomiarowego. Zbadano wpływ temperatury otoczenia oraz mocy cieplnej wydzielanej w rozważanym przyrządzie półprzewodnikowym na wartości rezystancji termicznej złącze-otoczenie, jak i wybranych parametrów występujących w modelu przejściowej impedancji termicznej.
Słowa kluczowe:
tranzystor JFET
SiC JFET
parametry termiczne
Issue:
Pages:
157
167
Download full text in pdf:
References:
Bargieł K., Wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora SiC-JFET typu SJEP120R063, Raport Katedry Elektroniki Morskiej nr NB.01/2015, Gdynia 2015.
Bisewski D., Dąbrowski J., Zarębski J., Komputerowy system do pomiaru przejściowej impedancji termicznej półprzewodnikowych elementów mocy, XIII Konferencja Zastosowania Komputerów w Elektrotechnice ZKwE, Poznań 2008, s. 133–134.
Bisewski D., Zarębski J., Measurements of transient thermal impedance of MESFETs, X International Conference Modern Problem of Radio Engineering, Telecommunications and Computer Science, TCSET’2008, Slavsko 2008, s. 213–216.
Blackburn D.L., Oettinger F.F., Transient Thermal Response Measurement of Power Transistors, IEEE Transactions on Industrial Electronics and Control Instrumentation, Vol. IECI-22, 1975, No. 2, s. 134–141.
Dąbrowski J. Modelowanie diod Schottky’ego mocy z uwzględnieniem efektów termicznych, Prace Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia 2007.
Górecki K., Zarębski J., Estymacja parametrów modelu termicznego elementów półprzewodni-kowych, Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, 2006, nr 3, s. 347–360.
Górecki K., Zarębski J., System mikrokomputerowy do pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych i układów scalonych, „Metrologia i Systemy Pomiarowe”, 2001, nr 4, s. 379–395.
Janke W., Zjawiska termiczne w elementach i układach półprzewodnikowych, WNT, Warszawa 1992.
Karta katalogowa tranzystora JFET SJEP120R063, http://www.amplimos.it/images/SJEP120 R063_rev1.3.1.pdf.
Napieralski A., Zarębski J., Górecki K., Furmańczyk M., Pomiar rezystancji i przejściowej impedancji termicznej inteligentnego układu scalonego MOS mocy, Zeszyty Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, 1998, nr 34.
Zarębski J., Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych, Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia 1996.
Zarębski J., Tranzystory MOS mocy, Fundacja Rozwoju Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia 2007.
Zarębski J., Górecki K., Mikrokomputerowy system pomiarowy do wyznaczania rezystancji termicznej tranzystora bipolarnego, „Pomiary. Automatyka. Kontrola”, 1993, nr 9, s. 209–212.
Zarębski J., Górecki K., System mikrokomputerowy do pomiaru rezystancji termicznej elementów półprzewodnikowych metodami impulsowymi, „Metrologia i Systemy Pomiarowe”, 1993, nr 16, s. 357–364.