@article{Bargieł_Bisewski_Zarębski_Szarmach_2016,
	author = {Bargieł, Kamil and Bisewski, Damian and Zarębski, Janusz and Szarmach, Ewelina},
	title = {Wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora SiC JFET},
	journal = {Scientific Journal of Gdynia Maritime University},
	number = {95,
	pages = {157-167}, 
	year = {2016},
	url = {http://zeszyty.am.gdynia.pl/artykul-456.html},
	abstract = {W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów rezystancji termicznej oraz przejściowej impedancji termicznej tranzystora JFET mocy, wykonanego z węglika krzemu o symbolu SJEP120R063. Pomiary przeprowadzono z wykorzystaniem opracowanego w Katedrze Elektroniki Morskiej komputerowego systemu pomiarowego. Zbadano wpływ temperatury otoczenia oraz mocy cieplnej wydzielanej w rozważanym przyrządzie półprzewodnikowym na wartości rezystancji termicznej złącze-otoczenie, jak i wybranych parametrów występujących w modelu przejściowej impedancji termicznej.

In the paper results of measurements of the thermal parameters of silicon carbide JFET, are presented. Measurements were performed by computer-aided measurement system, based on literature pulsed-electrical method. The influences of the ambient temperature and the dissipated power on the thermal parameters of the transistor were examined.},
	e-issn={2541-2486},
	publisher = {Gdynia Maritime University},
	keywords = {tranzystor JFET, SiC JFET, parametry termiczne},