abbr. SJ GMU
ISSN 2657-5841 (printed)
ISSN 2657-6988 (online)
DOI: 10.26408
Wyznaczanie charakterystyk diody Schottky’ego z węglika krzemu z wykorzystaniem modelu elektrotermicznego
Evaluation of usefulness of the electrothermal model of the silicon carbide power Schottky diode in modeling of new types of diodes containing the metal-semiconductor junction
Abstract:
In the paper the electrothermal model of the SiC power Schottky diode is presented. The model was experimentally verified and its usefulness for modeling new types of commercially accessible silicon carbide diodes was evaluated. The research were performed for diode STPSC806D offered on the market since 2009.
Streszczenie:
W artykule przedstawiono sformułowany dla programu SPICE elektrotermiczny model diody Schottky’ego mocy z węglika krzemu. Model zweryfikowano eksperymentalnie oraz oceniono jego przydatność w modelowaniu charakterystyk komercyjnie dostępnych nowych diod z węglika krzemu. Badania eksperymentalne i symulacyjne przeprowadzono dla diody STPSC806D oferowanej na rynku od roku 2009.
Słowa kluczowe:
dioda Schottky’ego mocy
węglik krzemu
Issue:
Pages:
19
30
Download full text in pdf:
References:
Dąbrowski J., Modelowanie diod Schottky’ego mocy z uwzględnieniem efektów termicznych, praca doktorska, Politechnika Łódzka, Łódź 2007.
Górecki K., Zarębski J., Estymacja parametrów modelu termicznego elementów półprzewodnikowych, Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, 2006, nr 3, s. 347–360.
Zarębski J., Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych, Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia 1996.
Zarębski J., Dąbrowski J., Non-isothermal Characteristics of SiC Power Schottky Diodes, International Symposium on Power Electronics, Electrical Drives, Automation and Motion SPEEDAM, June 2008, Ischia, Italy, s. 1363–1367.