@article{Patrzyk_2016,
	author = {Patrzyk, Joanna},
	title = {Modelowanie tranzystorów mocy SiC BJT w programie PSPICE},
	journal = {Scientific Journal of Gdynia Maritime University},
	number = {95,
	pages = {168-176}, 
	year = {2016},
	url = {http://zeszyty.am.gdynia.pl/artykul-457.html},
	abstract = {Artykuł dotyczy problematyki modelowania bipolarnych tranzystorów mocy, wykonanych z węglika krzemu, w programie PSPICE. Przedstawiono wyniki eksperymentalnej weryfikacji dokładności symulacji wyjściowych charakterystyk statycznych tranzystora BT1206AC firmy TranSiC oraz tranzystora 2N7635-GA firmy GeneSiC, wykonanych z węglika krzemu, z wykorzystaniem modelu tranzystora bipolarnego, wbudowanego w program PSPICE.

This paper deals with the problem of modeling bipolar power transistors made of silicon carbide in PSPICE. The accuracy of built-in PSPICE model of a bipolar transistor was verified experimentally for two silicon carbide power transistors: BT1206AC (produced by TranSiC) and the 2N7635-GA (produced by GeneSiC) The results of simulations and measurements of the output static characteristics of the considered devices are given as well.},
	e-issn={2541-2486},
	publisher = {Gdynia Maritime University},
	keywords = {modelowanie, SiC BJT, węglik krzemu},