@article{Stepowicz_2012,
	author = {Stepowicz, Witold},
	title = {Wpływ promieniowania jonizującego na elementy półprzewodnikowe i układy scalone},
	journal = {Scientific Journal of Gdynia Maritime University},
	number = {75,
	pages = {201-213}, 
	year = {2012},
	url = {http://zeszyty.am.gdynia.pl/artykul-167.html},
	abstract = {W pracy opisano źródła narażeń elementów półprzewodnikowych i układów scalonych na promieniowanie jonizujące, a następnie omówiono klasyfikacje mechanizmów uszkodzeń wywołanych tym promieniowaniem. Podano przykłady szkodliwego wpływu promieniowania jonizującego na wybrane elementy i układy. Pokazano zastosowanie promieniowania neutronowego do wytwarzania domieszkowanego krzemu oraz wykorzystanie krzemu do konstrukcji półprzewodnikowych detektorów promieniowania jonizującego.

In the paper sources of ionization radiation exposures of semiconductor devices and integrated circuits are presented, and classifications of failures caused by radiation are disscused. Some examples of destcructive influence of radiation on semiconductor devices and integrated circuits are given. Application of neutron radiation to obtain doped n-type silicon and use of silicon to construct ionization detectors are described as well.},
	e-issn={2541-2486},
	publisher = {Gdynia Maritime University},
	keywords = {},